Hafnium(Ⅳ) acetylacetonate

97%

Reagent รหัส: #93749
label
นามแฝง Hafnium acetylacetonate
fingerprint
หมายเลข CAS 17475-67-1

science Other reagents with same CAS 17475-67-1

blur_circular ข้อมูลจำเพาะทางเคมี

scatter_plot ข้อมูลโมเลกุล
น้ำหนัก 574.93 g/mol
สูตร C₂₀H₂₈HfO₈
badge หมายเลขทะเบียน
MDL Number MFCD00044997
thermostat คุณสมบัติทางกายภาพ
Melting Point 193°C
Boiling Point 82°C/.001mmHg
inventory_2 การจัดเก็บและการจัดการ
พื้นที่จัดเก็บ room temperature

description รายละเอียดสินค้า

Hafnium(IV) acetylacetonate ใช้หลักในสาขาวิทยาศาสตร์วัสดุ โดยเฉพาะในการผลิตฟิล์มบางและการเคลือบสาร มันทำหน้าที่เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการ chemical vapor deposition (CVD) และ atomic layer deposition (ALD) เพื่อสร้างชั้นออกไซด์ของแฮฟเนียม ชั้นเหล่านี้มีความสำคัญในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์สำหรับการผลิตวัสดุไดอิเล็กทริกแบบ high-k ซึ่งจำเป็นสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง เช่น ทรานซิสเตอร์และตัวเก็บประจุ นอกจากนี้ ยังนำไปใช้ในด้านการเร่งปฏิกิริยา โดยทำหน้าที่เป็นตัวเร่งหรือสารตั้งต้นของตัวเร่งในปฏิกิริยาอินทรีย์ต่างๆ เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพและความเลือกสรร บทบาทในเทคโนโลยีนาโนก็มีส่วนสำคัญ โดยช่วยพัฒนาวัสดุโครงสร้างนาโนที่มีสมบัติเฉพาะตัว

format_list_bulleted คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

พารามิเตอร์การทดสอบ ข้อมูลจำเพาะ
Purity (Chelatometric Titration) 96.5-103.5%
Appearance White to light yellow powder
ICP Confirms hafnium component
Infrared Spectrometry Conforms to Structure
X-ray Diffraction Conforms to Structure
Melting point (°C) 193

shopping_cart ขนาดและราคาที่มีจำหน่าย

ปริมาณ Availability ราคาต่อหน่วย จำนวน
inventory 5g
10-20 days ฿2,720.00
inventory 1g
10-20 days ฿720.00
inventory 25g
10-20 days ฿12,330.00
inventory 100g
10-20 days ฿46,790.00

ตะกร้า

ไม่มีสินค้า

Subtotal: 0.00
รวมทั้งสิ้น 0.00 THB
Hafnium(Ⅳ) acetylacetonate
No image available

Hafnium(IV) acetylacetonate ใช้หลักในสาขาวิทยาศาสตร์วัสดุ โดยเฉพาะในการผลิตฟิล์มบางและการเคลือบสาร มันทำหน้าที่เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการ chemical vapor deposition (CVD) และ atomic layer deposition (ALD) เพื่อสร้างชั้นออกไซด์ของแฮฟเนียม ชั้นเหล่านี้มีความสำคัญในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์สำหรับการผลิตวัสดุไดอิเล็กทริกแบบ high-k ซึ่งจำเป็นสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง เช่น ทรานซิสเตอร์และตัวเก็บประจุ นอกจากนี้ ยังนำไปใช้ในด้านการเร่งปฏิกิริยา โดยทำหน้าที่เป็นตัวเร่งหรือสารตั้งต้นของตัวเร่งในปฏิกิริยาอิน

Hafnium(IV) acetylacetonate ใช้หลักในสาขาวิทยาศาสตร์วัสดุ โดยเฉพาะในการผลิตฟิล์มบางและการเคลือบสาร มันทำหน้าที่เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการ chemical vapor deposition (CVD) และ atomic layer deposition (ALD) เพื่อสร้างชั้นออกไซด์ของแฮฟเนียม ชั้นเหล่านี้มีความสำคัญในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์สำหรับการผลิตวัสดุไดอิเล็กทริกแบบ high-k ซึ่งจำเป็นสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง เช่น ทรานซิสเตอร์และตัวเก็บประจุ นอกจากนี้ ยังนำไปใช้ในด้านการเร่งปฏิกิริยา โดยทำหน้าที่เป็นตัวเร่งหรือสารตั้งต้นของตัวเร่งในปฏิกิริยาอินทรีย์ต่างๆ เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพและความเลือกสรร บทบาทในเทคโนโลยีนาโนก็มีส่วนสำคัญ โดยช่วยพัฒนาวัสดุโครงสร้างนาโนที่มีสมบัติเฉพาะตัว

Mechanism -
Appearance -
Longevity -
Strength -
Storage -
Shelf Life -
Allergen(s) -
Dosage (Range) -
Dosage (Per Day) -
Mix Method -
Heat Resistance -
Stable in pH range -
Solubility -
Product Types -
INCI -

Purchase History for

Loading purchase history...