สารตั้งต้นสำหรับการสะสมฟิล์มบางในเซมิคอนดักเตอร์

Thin Film Deposition Precursors

สารตั้งต้นและสารเคมีสำหรับกระบวนการสะสมชั้นอะตอม (ALD) และการสะสมไอเคมี (CVD) เพื่อสร้างฟิล์มบางของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ เพิ่มประสิทธิภาพในแอปพลิเคชันไมโครอิเล็กทรอนิกส์และนาโนเทคโนโลยี

REAGENT

TANTALUM TRIS(DIETHYLAMIDO)-TERT-BUTYLIMIDE

99%, ≥99.99% trace metals basis

CAS:169896-41-7

Formula:C₁₆H₃₉N₄Ta

MW:468.48 g/mol

฿12,190.00

ข้อมูล

REAGENT

Tin(IV) iodide

99.95% trace metals basis

CAS:7790-47-8

Formula:SnI₄

MW:626.33 g/mol

฿3,040.00

ข้อมูล

REAGENT

Te solution

1000μg/ml

฿1,860.00

ข้อมูล

REAGENT

Tin(IV) iodide

95%

CAS:7790-47-8

Formula:SnI₄

MW:626.33 g/mol

฿920.00

ข้อมูล

REAGENT

LTURM34

10mM in DMSO

CAS:1879887-96-3

Formula:C₂₄H₁₈N₂O₃S

MW:414.48 g/mol

฿7,200.00

ข้อมูล

REAGENT

Te solution

10000µg/ml,2.0 mol/L HNO3

฿8,680.00

ข้อมูล

REAGENT

Ta solution

10000µg/ml,1.0 mol/L HF

฿2,030.00

ข้อมูล

REAGENT

Ta solution

1000µg/ml,1.0 mol/L HF

฿1,980.00

ข้อมูล

REAGENT

Se solution

1000µg/ml,1.0 mol/L HNO3

฿1,280.00

ข้อมูล

REAGENT

Hf solution

1000µg/ml,1.0 mol/L HNO3 and tr. HF

฿2,850.00

ข้อมูล

Thin Film Deposition Precursors

ตะกร้า