ใช้หลักๆ เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการ deposition ด้วยไอระเหยเคมี (CVD) และ deposition ชั้นอะตอม (ALD) สำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ สารนี้ช่วยให้เกิดฟิล์มบางคุณภาพสูงของไนไตรด์แทนทาลัม (TaN) และคาร์โบไนไตรด์แทนทาลัม (TaCN) ซึ่งทำหน้าที่เป็นตัวกั้นการแพร่กระจายที่มีประสิทธิภาพและชั้นรองรับการนำไฟฟ้าในวงจรรวมขั้นสูง ฟิล์มเหล่านี้ช่วยป้องกันการอพยพของทองแดงเข้าไปในฐานซิลิคอน เพิ่มความน่าเชื่อถือและประสิทธิภาพของอุปกรณ์ คุณสมบัติการระเหยสูงและปฏิกิริยาที่อุณหภูมิต่ำของสารนี้ทำให้เหมาะสำหรับการเคลือบที่แม่นยำและสอดคล้องในโครงสร้างอัตราส่วนสูง ซึ่งสำคัญสำหรับเทคโนโลยีโหนดย่อย 45 นาโนเมตร การใช้สารนี้สนับสนุนการย่อขนาดและการขยายขนาดของอุปกรณ์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ รวมถึงหน่วยความจำแบบสุ่มเข้าถึงแบบไดนามิก (DRAM) และชิปตรรกะ