ใช้หลักๆ ในกระบวนการ deposition ไอระเหยทางเคมี (CVD) เพื่อผลิตฟิล์มบางของวัสดุที่มีนิกเกิล ซึ่งจำเป็นในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ โดยทำหน้าที่เป็นสารตั้งต้นสำหรับการ deposit ชั้นนิกเกิลที่ช่วยเพิ่มค่าการนำไฟฟ้าและความต้านทานการกัดกร่อนในส่วนประกอบไมโครอิเล็กทรอนิกส์ นอกจากนี้ ยังใช้ในการสังเคราะห์ตัวเร่งปฏิกิริยาสำหรับปฏิกิริยาอินทรีย์ โดยเฉพาะกระบวนการ cross-coupling และ hydrogenation เนื่องจากความเสถียรและปฏิกิริยาที่ดี ในสาขาวิทยาศาสตร์วัสดุ มีส่วนช่วยในการพัฒนาการเคลือบขั้นสูงและ nanocomposites ที่มีคุณสมบัติเฉพาะเจาะจงสำหรับการประยุกต์ใช้ในอุตสาหกรรม