ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการสะสมชั้นอะตอม (ALD) สำหรับการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง ช่วยในการสะสมฟิล์มบางคุณภาพสูงของไนไตรด์แทนทาลัม (TaN) หรือคาร์โบไนไตรด์แทนทาลัม (TaCN) ซึ่งทำหน้าที่เป็นตัวกั้นการแพร่กระจายหรือชั้นนำไฟฟ้าในวงจรรวม ความไวต่อปฏิกิริยาสูงกับสารรีดิวซ์และคุณสมบัติการระเหยดีทำให้เหมาะสำหรับกระบวนการ ALD ที่อุณหภูมิต่ำ ส่งผลให้ได้ฟิล์มที่มีความสม่ำเสมอดีเยี่ยมและการครอบคลุมขั้นบันไดบนโครงสร้างนาโนที่ซับซ้อน ใช้กันทั่วไปในการผลิตหน่วยความจำแบบ dynamic random-access (DRAM) และชิป logic เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือของอุปกรณ์