ใช้เป็นสารตั้งต้นหลักในวัสดุเซมิคอนดักเตอร์อินทรีย์ โดยเฉพาะในการสังเคราะห์เซมิคอนดักเตอร์อินทรีย์แบบ n-type ประสิทธิภาพสูงสำหรับทรานซิสเตอร์สนามอินทรีย์ (OFETs) คุณสมบัติการดึงอิเล็กตรอนที่แข็งแกร่งช่วยเพิ่มคุณสมบัติการขนส่งอิเล็กตรอน ทำให้มีคุณค่าในอิเล็กทรอนิกส์ยืดหยุ่นและการประยุกต์ใช้ทรานซิสเตอร์ฟิล์มบาง นอกจากนี้ยังใช้ในการพัฒนาโฟโตโวลตาอิกอินทรีย์ (OPVs) เนื่องจากความสามารถในการปรับปรุงความสัมพันธ์อิเล็กตรอนและความเสถียรในโพลิเมอร์แบบ donor-acceptor แสดงถึงความเป็นไปได้ในอุปกรณ์ไฟฟ้าโครมิกและเซลล์แสงอาทิตย์เพอร์โรฟสไกต์ในฐานะสาร dopant หรือส่วนประกอบชั้นอินเตอร์เฟซ