ใช้เป็นสารตั้งต้นในการสะสมฟิล์มบางที่เป็นฐานซิลิคอนสำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ความตอบสนองสูงและความผันผวนของมันทำให้เหมาะสำหรับกระบวนการ chemical vapor deposition (CVD) ซึ่งช่วยในการก่อตัวของชั้นซิลิคอนไนไตรด์หรือซิลิคอนคาร์ไบด์ที่อุณหภูมิค่อนข้างต่ำ ชั้นเหล่านี้ทำหน้าที่เป็น dielectric, ชั้นเคลือบ passivation หรือกำแพงกั้นการแพร่กระจายในอุปกรณ์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ กลุ่ม dimethylamino ของสารนี้ช่วยเพิ่มความเสถียรและการจัดการเมื่อเปรียบเทียบกับอนุพันธ์ซิเลนที่อ่อนไหวมากกว่า ซึ่งช่วยให้ควบคุมกระบวนการได้ดีขึ้นในแอปพลิเคชันที่ต้องการความแม่นยำสูง นอกจากนี้ยังใช้ในงานวิจัยด้านวัสดุนาโนเพื่อสร้างโครงสร้างซิลิคอนที่มีความละเอียดสูง