ใช้เป็นวัสดุอิเล็กโทรดเกตและวัสดุเชื่อมต่อไฟฟ้าในอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ โดยเฉพาะในเทคโนโลยี complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) ขั้นสูงที่ใช้ร่วมกับวัสดุไดอิเล็กทริก high-k มีค่าความต้านทานไฟฟ้าต่ำและความเสถียรทางความร้อนสูง ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ ขนาดย่อมลง และลดความต้านทานที่เกต นอกจากนี้ยังใช้ในไมโครอิเล็กทรอนิกส์เป็นตัวกั้นการแพร่กระจาย และในชั้นเคลือบที่ทนความร้อนสูง เนื่องจากความเสถียรทางความร้อนและต้านทานการเกิดออกซิเดชัน คุณสมบัติทนไฟทำให้เหมาะสำหรับชิ้นส่วนที่สัมผัสความร้อนสูง เช่น ในงานอวกาศและกังหัน