ใช้เป็น photoacid generator ในสูตร photoresist ขั้นสูงสำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ โดยเฉพาะ lithography แบบ deep ultraviolet (DUV) เมื่อได้รับแสง จะปล่อยกรดแรงที่เร่งปฏิกิริยาเคมีใน resist ทำให้เกิดการพัฒนาลายละเอียดที่แม่นยำ มีบทบาทสำคัญในการสร้างภาพพิมพ์ละเอียดสูงบนแผ่นเวเฟอร์ เพราะสามารถปลดปล่อยกรดได้เมื่อได้รับแสง UV ซึ่งกรดนี้จะทำหน้าที่เร่งปฏิกิริยาเคมีในเรซินให้เกิดการเปลี่ยนแปลงโครงสร้าง เช่น การทำให้เรซินแข็งตัว (curing) หรือละลายได้ตามต้องการในขั้นตอนการกัด (development) นอกจากนี้ยังใช้ในปฏิกิริยาโพลิเมอไรเซชันแบบแคทไอออนิก โดยทำหน้าที่เป็นตัวเริ่มปฏิกิริยาที่มีประสิทธิภาพภายใต้การฉายแสง ซึ่งมีประโยชน์ในชั้นเคลือบ หมึกพิมพ์ และโพลิเมอร์พิเศษ รวมถึงระบบเคลือบผิวที่ต้องการความแม่นยำสูง เช่น เลนส์กล้อง หรืออุปกรณ์ออปติคอลขนาดเล็ก เนื่องจากมีความเสถียรทางความร้อน ปฏิกิริยาที่ควบคุมได้ และให้ผลลัพธ์ที่สม่ำเสมอภายใต้สภาวะควบคุม