ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการ deposition ไอระเหยทางเคมี (CVD) และ deposition ชั้นอะตอม (ALD) เพื่อสร้างฟิล์มบางที่ประกอบด้วยโมลิบดีนัม เช่น ชั้นโมลิบดีนัมไนไตรด์ (MoN) และโมลิบดีนัมคาร์ไบด์ (MoC) ชั้นฟิล์มเหล่านี้ถูกนำมาใช้เป็นตัวกั้นการแพร่กระจาย อิเล็กโทรดเกต หรือตัวเชื่อมต่อในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ เนื่องจากมีเสถียรภาพทางความร้อนสูง ความต้านทานต่ำ และคุณสมบัติการเคลือบที่สม่ำเสมอ สารนี้แสดงความผันผวนสูงและการสลายตัวทางความร้อนที่สะอาด เหมาะสำหรับการใช้งานที่แม่นยำในระดับนาโนในอุปกรณ์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ นอกจากนี้ ยังมีการศึกษาการนำไปใช้ในงานเร่งปฏิกิริยา เช่น ปฏิกิริยาเมตาธิซิสของโอลฟิน และการแปลงอื่นๆ ที่เกี่ยวข้องกับโมลิบดีนัมในสถานะออกซิเดชันสูงในเคมีอินทรีย์