ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการเคลือบด้วยเทคนิคการสลายตัวของสารประกอบทางเคมี (CVD) เพื่อสร้างฟิล์มบางของรูเทเนียมหรือออกไซด์ของรูเทเนียมบนพื้นผิวต่าง ๆ ฟิล์มที่ได้มีคุณสมบัติการนำไฟฟ้าดีมาก และมีความเสถียรต่อการกัดกร่อน จึงเหมาะสำหรับใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ เช่น ตัวเก็บประจุในชิปหน่วยความจำ (DRAM) และอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง นอกจากนี้ยังใช้ในงานวิจัยด้านวัสดุนาโนและตัวเร่งปฏิกิริยาที่ต้องการพื้นผิวโลหะรูเทเนียมบริสุทธิ์สูง