ใช้ในกระบวนการเคลือบบางด้วยเทคนิคการสลายตัวของสารประกอบอินทรีย์ของโลหะ (MOCVD) เพื่อสร้างฟิล์มบางของพลาตินัมบนพื้นผิวต่าง ๆ ซึ่งฟิล์มบางนี้มีความสำคัญในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ โดยเฉพาะในการผลิตตัวเก็บประจุ ขั้วไฟฟ้าสำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ และอุปกรณ์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ ที่ต้องการความบริสุทธิ์สูงและการควบคุมความหนาของฟิล์มอย่างแม่นยำ สารนี้มีข้อได้เปรียบในการสลายตัวที่อุณหภูมิปานกลาง ทำให้เหมาะกับการใช้งานในกระบวนการผลิตที่ต้องการความละเอียดสูง