ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการเคลือบด้วยเทคนิคการสลายตัวของสารประกอบจากไอ (CVD) เพื่อสร้างฟิล์มบางของเจอร์เมเนียม ซึ่งมีความสำคัญในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ โดยเฉพาะในการผลิตชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์และอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ สารนี้มีข้อได้เปรียบในการสลายตัวที่อุณหภูมิค่อนข้างต่ำ ทำให้เหมาะกับการใช้งานในกระบวนการผลิตที่ต้องการความแม่นยำสูงและควบคุมอุณหภูมิอย่างเข้มงวด นอกจากนี้ยังช่วยเพิ่มประสิทธิภาพในการนำไฟฟ้าของวัสดุที่ผลิตได้