ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการ deposition ด้วยไอระเหยทางเคมี (CVD) สำหรับการสะสมฟิล์มบางที่มีซิร์โคเนียม โดยเฉพาะในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ฟิล์มเหล่านี้ทำหน้าที่เป็นไดอิเล็กทริกแบบ high-k ใน gate stacks และ capacitors ขั้นสูง เนื่องจากมีค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสูงและความเสถียรทางความร้อน ความผันผวนและปฏิกิริยาของสารนี้ทำให้เหมาะสำหรับการ deposition ที่อุณหภูมิต่ำ ซึ่งช่วยให้รวมเข้ากับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ละเอียดอ่อนได้ นอกจากนี้ยังมีการสำรวจใน atomic layer deposition (ALD) สำหรับการเคลือบที่แม่นยำและ conformal บนโครงสร้างนาโนที่ซับซ้อน