Tris(dimethylamido)gallium(III)
98%
Reagent
รหัส: #242362
หมายเลข CAS
57731-40-5
blur_circular ข้อมูลจำเพาะทางเคมี
scatter_plot
ข้อมูลโมเลกุล
น้ำหนัก
403.9 g/mol
สูตร
C₁₂H₃₆Ga₂N₆
badge
หมายเลขทะเบียน
MDL Number
MFCD00798535
thermostat
คุณสมบัติทางกายภาพ
Melting Point
104-105.5 °C(lit.)
Boiling Point
55.7 °C at 760 mm Hg
inventory_2
การจัดเก็บและการจัดการ
พื้นที่จัดเก็บ
2-8°C
description รายละเอียดสินค้า
ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการ metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) สำหรับการสะสมฟิล์มบางที่มีส่วนประกอบของแกลเลียม โดยเฉพาะในการผลิต gallium nitride (GaN) และเซมิคอนดักเตอร์ไนไตรด์กลุ่ม III ที่เกี่ยวข้อง วัสดุเหล่านี้มีความสำคัญในอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ เช่น ไดโอดเปล่งแสง (LEDs), ไดโอดเลเซอร์, และทรานซิสเตอร์กำลังสูง ความผันผวนสูงและความเสถียรทางความร้อนทำให้เหมาะสำหรับการสะสมที่แม่นยำและควบคุมได้ที่อุณหภูมิปานกลาง ส่งผลให้เกิดชั้นคริสตัลบริสุทธิ์สูงที่จำเป็นสำหรับประสิทธิภาพของอุปกรณ์ นอกจากนี้ยังมีการสำรวจในงานวิจัยสำหรับวัสดุอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูงและการประยุกต์ใช้ในนาโนเทคโนโลยี
shopping_cart ขนาดและราคาที่มีจำหน่าย
ตะกร้า
ไม่มีสินค้า
Subtotal:
0.00
รวมทั้งสิ้น
0.00
THB