ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการ atomic layer deposition (ALD) และ chemical vapor deposition (CVD) เพื่อสร้างฟิล์มที่มีส่วนประกอบของ hafnium โดยเฉพาะวัสดุ dielectric สูง-k ในอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ ความผันผวนและความเสถียรทางความร้อนทำให้เหมาะสำหรับการสะสมชั้น hafnium nitride หรือ hafnium oxynitride ที่อุณหภูมิต่ำค่อนข้าง ฟิล์มเหล่านี้มีความสำคัญในไมโครอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง รวมถึง gate stacks และ diffusion barriers ในวงจรรวม ลิแกนด์ diethylamino ช่วยให้เกิดการสลายตัวที่สะอาด ลดการปนเปื้อนคาร์บอนในฟิล์มสุดท้าย