ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการ metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) สำหรับการสร้างฟิล์มออกไซด์ที่มีแฮฟเนียม โดยเฉพาะชั้น dielectric high-k ในอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ ช่วยในการเจริญเติบโตของฟิล์ม HfO₂ ที่มีความสม่ำเสมอและความเสถียรทางความร้อนดี ซึ่งสำคัญสำหรับ gate oxides ขั้นสูงในทรานซิสเตอร์และอุปกรณ์หน่วยความจำ นอกจากนี้ยังนำไปใช้ในกระบวนการ atomic layer deposition (ALD) เนื่องจากความผันผวนและพฤติกรรมการสลายตัวที่ควบคุมได้ เหมาะสำหรับการผลิตส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ระดับนาโนที่ต้องการความหนาของฟิล์มที่แม่นยำและค่าคงที่ dielectric สูง