Tetrakis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)hafnium(IV)
99.5% trace metals basis
Reagent
รหัส: #240590
หมายเลข CAS
63370-90-1
science Other reagents with same CAS 63370-90-1
blur_circular ข้อมูลจำเพาะทางเคมี
scatter_plot
ข้อมูลโมเลกุล
น้ำหนัก
910.5 g/mol
สูตร
C₄₄H₇₆HfO₈
badge
หมายเลขทะเบียน
MDL Number
MFCD01863471
thermostat
คุณสมบัติทางกายภาพ
Melting Point
315-320ºC
Boiling Point
180ºC 0,1mm
inventory_2
การจัดเก็บและการจัดการ
พื้นที่จัดเก็บ
Room temperature, seal, dry
description รายละเอียดสินค้า
ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการ metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) สำหรับการสร้างฟิล์มออกไซด์ที่มีแฮฟเนียม โดยเฉพาะชั้น dielectric high-k ในอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ ช่วยในการเจริญเติบโตของฟิล์ม HfO₂ ที่มีความสม่ำเสมอและความเสถียรทางความร้อนดี ซึ่งสำคัญสำหรับ gate oxides ขั้นสูงในทรานซิสเตอร์และอุปกรณ์หน่วยความจำ นอกจากนี้ยังนำไปใช้ในกระบวนการ atomic layer deposition (ALD) เนื่องจากความผันผวนและพฤติกรรมการสลายตัวที่ควบคุมได้ เหมาะสำหรับการผลิตส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ระดับนาโนที่ต้องการความหนาของฟิล์มที่แม่นยำและค่าคงที่ dielectric สูง
shopping_cart ขนาดและราคาที่มีจำหน่าย
ตะกร้า
ไม่มีสินค้า
Subtotal:
0.00
รวมทั้งสิ้น
0.00
THB
