ใช้เป็นสารตั้งต้นหลักในกระบวนการ deposition ด้วยไอระเหยทางเคมี (CVD) และ deposition ชั้นอะตอม (ALD) เพื่อผลิตฟิล์มบางของแทนตาลัมออกไซด์ (Ta₂O₅) ฟิล์มเหล่านี้มีค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสูงและคุณสมบัติฉนวนไฟฟ้าที่ยอดเยี่ยม ทำให้เหมาะสำหรับใช้ในอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ ตัวเก็บประจุหน่วยความจำแบบสุ่มเข้าถึงแบบไดนามิก (DRAM) และไดอิเล็กทริกเกตในทรานซิสเตอร์ สารประกอบนี้ได้รับความนิยมในกระบวนการผลิตไมโครอิเล็กทรอนิกส์เนื่องจากความผันผวนและปฏิกิริยาที่ดี ซึ่งช่วยให้สามารถเคลือบได้สม่ำเสมอและแบบ conformal บนโครงสร้างที่ซับซ้อนที่มีอัตราส่วนความสูงต่อความกว้างสูง นอกจากนี้ยังใช้ในการเตรียมชั้นเคลือบทางแสงและชั้นป้องกันที่ต้องการดัชนีหักเหสูงและความเสถียรต่อสิ่งแวดล้อม