ใช้เป็นสารตั้งต้นในการสังเคราะห์ฟิล์มบางของออกไซด์ฮาเฟเนียม โดยเฉพาะในกระบวนการเคลือบแบบ CVD หรือ ALD เพื่อผลิตวัสดุสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง เช่น ทรานซิสเตอร์ขนาดนาโน หรือชั้นไดอิเล็กทริกในชิปเซมิคอนดักเตอร์ เนื่องจากให้ฟิล์มที่มีความบริสุทธิ์สูงและควบคุมความหนาได้แม่นยำ มีประสิทธิภาพในการทำงานที่อุณหภูมิค่อนข้างต่ำเมื่อเทียบกับสารตั้งต้นชนิดอื่น จึงเหมาะกับกระบวนการผลิตที่ต้องการความละเอียดสูง