ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการ deposition ด้วยไอระเหยทางเคมี (CVD) และการ deposition ชั้นอะตอม (ALD) สำหรับการผลิตฟิล์มบางที่มีซิร์โคเนียม ฟิล์มเหล่านี้ทำหน้าที่เป็นวัสดุไดอิเล็กทริกแบบ high-k ในอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ ให้คุณสมบัติการเป็นฉนวนที่ดีเยี่ยมและความเสถียรทางความร้อน สูตรของสารนี้มีความผันผวนสูงและปฏิกิริยาได้ดี ทำให้เหมาะสำหรับการ deposition ที่อุณหภูมิต่ำ ซึ่งช่วยให้สามารถนำไปใช้ในกระบวนการผลิตไมโครอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง นอกจากนี้ยังมีการสำรวจใช้ในด้านการเร่งปฏิกิริยาและการสังเคราะห์วัสดุที่ต้องการการปล่อยซิร์โคเนียมแบบควบคุม