ใช้ในกระบวนการผลิตสารกึ่งตัวนำ โดยเฉพาะในการสังเคราะห์ฟิล์มบางแบบ epitaxial ของสารประกอบแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) และสารประกอบอาร์เซไนด์อื่น ๆ ผ่านกระบวนการ deposition จากไอระเหยทางเคมี (MOCVD) เนื่องจากมีคุณสมบัติในการให้อนุภาคอาร์เซนิกที่มีประสิทธิภาพสูงและอุณหภูมิการสลายตัวที่ต่ำ ทำให้เหมาะสำหรับการควบคุมองค์ประกอบของวัสดุในระดับนาโน โดยเฉพาะในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง เช่น อุปกรณ์ความถี่สูง เลเซอร์ไดโอด และเซลล์แสงอาทิตย์ประสิทธิภาพสูง