ใช้เป็นสารตั้งต้นในการสังเคราะห์ฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำที่มีส่วนประกอบของแกลเลียม โดยเฉพาะในกระบวนการ epitaxy แบบใช้ไอระเหยทางเคมี (MOCVD) เพื่อผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และออปโตอิเล็กทรอนิกส์ เช่น ไดโอดเปล่งแสง (LED) และเลเซอร์ไดโอด สารนี้มีความเสถียรและระเหยได้ดี ทำให้ควบคุมการเติบโตของผลึกได้อย่างแม่นยำ เหมาะสำหรับการผลิตโครงสร้างชั้นบางที่มีคุณภาพสูง