ใช้เป็นสารตั้งต้นในการสังเคราะห์วัสดุกึ่งตัวนำชนิด III-V โดยเฉพาะในการผลิตแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) และแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) ผ่านกระบวนการ epitaxy เช่น metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) ซึ่งมีความสำคัญต่อการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง เช่น ไดโอดเปล่งแสง (LED) เลเซอร์ไดโอด และทรานซิสเตอร์ความถี่สูง นิยมใช้ในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์และโฟโตนิกส์ที่ต้องการวัสดุคุณภาพสูงและบริสุทธิ์