ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการ deposition แบบไอระเหยเพื่อผลิตฟิล์มบางที่มีวานาเดียมสำหรับการใช้งานในเซมิคอนดักเตอร์และอิเล็กทรอนิกส์ ความผันผวนสูงและความเสถียรทางความร้อนทำให้เหมาะสำหรับ atomic layer deposition (ALD) และ chemical vapor deposition (CVD) ซึ่งต้องการการเคลือบที่แม่นยำและสม่ำเสมอ ฟิล์มเหล่านี้ใช้ในไมโครอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง เช่น อิเล็กโทรดเกตและตัวกั้นการแพร่กระจาย นอกจากนี้ยังมีการศึกษาสำหรับการใช้งานเป็นตัวเร่งปฏิกิริยาในปฏิกิริยาออร์แกนิกเฉพาะทางเนื่องจากกิจกรรม redox ของวานาเดียม