ใช้ในการผลิตโลหะ hafnium และเป็นสารตั้งต้นในกระบวนการ deposition ไอสารเคมี (CVD) เพื่อสร้างฟิล์มบางที่มี hafnium สำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ มีบทบาทในการเร่งปฏิกิริยาสำหรับปฏิกิริยาอินทรีย์บางชนิด ยังถูกนำมาใช้ในการพัฒนาวัสดุไดอิเล็กทริก high-k ในไมโครอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง เนื่องจากคุณสมบัติฉนวนที่ดีของออกไซด์ hafnium ถูกศึกษาสำหรับการใช้ในแท่งควบคุมเครื่องปฏิกรณ์นิวเคลียร์ โดยใช้ประโยชน์จากความสามารถในการดูดซับนิวตรอนสูงของ hafnium เมื่อนำไปสู่รูปแบบวัสดุที่ใช้งานได้