ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการสะสมไอทางเคมี (CVD) เพื่อสะสมฟิล์มบางของรูทีเนียม ซึ่งมีความสำคัญในอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์สำหรับวัสดุอิเล็กโทรดในอุปกรณ์หน่วยความจำแบบเข้าถึงแบบสุ่มไดนามิก (DRAM) ความสามารถในการระเหยและความเสถียรทางความร้อนทำให้เหมาะสมสำหรับการก่อตัวชั้นรูทีเนียมที่มีความบริสุทธิ์สูงและนำไฟฟ้าได้ที่อุณหภูมิต่ำค่อนข้าง นอกจากนี้ยังใช้เป็นตัวเร่งปฏิกิริยาหรือสารตั้งต้นของตัวเร่งปฏิกิริยาในปฏิกิริยาอินทรีย์บางอย่าง รวมถึงปฏิกิริยาเติมไฮโดรเจนและปฏิกิริยาเมตาธีซิส เนื่องจากคุณสมบัติการเร่งปฏิกิริยาของรูทีเนียมในระบบออร์กาโนเมทัลลิก