ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการ deposition แบบไอระเหยเพื่อสร้างฟิล์มบางที่มีส่วนประกอบของทองแดงสำหรับการใช้งานในเซมิคอนดักเตอร์และไมโครอิเล็กทรอนิกส์ ความผันผวนและความเสถียรทางความร้อนทำให้เหมาะสมสำหรับการ deposition ไอระเหยทางเคมี (CVD) และการ deposition ชั้นอะตอม (ALD) ซึ่งต้องการชั้นทองแดงที่สม่ำเสมอและมีความบริสุทธิ์สูงในวงจรรวมและการเชื่อมต่อขั้นสูง นอกจากนี้ยังใช้ในงานวิจัยสำหรับการใช้งานด้านตัวเร่งปฏิกิริยาที่เกี่ยวข้องกับสารประกอบที่มีทองแดง