ใช้เป็นสารตั้งต้นในกระบวนการผลิตสารกึ่งตัวนำ โดยเฉพาะในกระบวนการ deposition ไอระเหยทางเคมี (CVD) เพื่อสะสมฟิล์มที่มีส่วนประกอบของซิลิคอน ความตอบสนองของสารนี้ช่วยให้สามารถเติบโตของฟิล์มได้ที่อุณหภูมิต่ำ ทำให้เหมาะสำหรับอิเล็กทรอนิกส์จุลภาคขั้นสูงที่ซึ่งงบประมาณความร้อนเป็นข้อจำกัด การมีกลุ่ม t-butyl ช่วยเพิ่มความผันผวนและลดการก่อตัวของอนุภาคที่ไม่พึงประสงค์ ส่งผลให้ควบคุมกระบวนการได้ดีขึ้นและเพิ่มความสม่ำเสมอของฟิล์ม นอกจากนี้ ยังมีการนำไปใช้ในการสังเคราะห์นาโนวัสดุที่อิงฐานซิลิคอน และเป็นสารตั้งต้นในการก่อตัวพันธะซิลิคอน-ไนโตรเจนแบบเลือกสรรในการสังเคราะห์อินทรีย์เฉพาะทาง