ใช้หลักๆ เป็นสารตั้งต้นในการสังเคราะห์ฟิล์มบางที่มีบารีเยียมผ่านการสะสมไอทางเคมี (CVD) หรือการสะสมชั้นอะตอม (ALD) ฟิล์มเหล่านี้จำเป็นในการผลิตวัสดุอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง รวมถึงไดอิเล็กทริก high-k และชั้น ferroelectric ในอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ ความผันผวนและความเสถียรทางความร้อนของสารนี้ทำให้เหมาะสำหรับการสะสมฟิล์ม barium oxide หรือ barium titanate ที่อุณหภูมิต่ำค่อนข้าง นอกจากนี้ยังใช้ในงานวิจัยสำหรับพัฒนาวัสดุตัวนำยิ่งยวดและ electroceramics ที่ต้องการสโตอิคิโอเมตรีของบารีเยียมที่แม่นยำ