ใช้เป็นสารตั้งต้นสำคัญในการสังเคราะห์เซมิคอนดักเตอร์อินทรีย์ โดยเฉพาะในการพัฒนาทรานซิสเตอร์ผลึกอินทรีย์ (OFETs) ประสิทธิภาพสูงแบบ n-type และ ambipolar โครงสร้างที่แข็งและเรียบในระนาบพร้อมกับหมู่ไซยาโนที่ดูดอิเล็กตรอนแรงช่วยเพิ่มการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนและความเสถียรในอุปกรณ์ทรานซิสเตอร์ฟิล์มบาง นอกจากนี้ยังใช้ในการเตรียมโพลิเมอร์คอนจูเกตและโมเลกุลขนาดเล็กสำหรับโฟโตโวลตาอิกอินทรีย์ (OPVs) และเซลล์แสงอาทิตย์เพอร์โรฟสไกต์ ซึ่งช่วยส่งเสริมการขนส่งประจุที่ประสิทธิภาพ นอกจากนี้ยังเป็นส่วนประกอบพื้นฐานในการผลิตไดโอดเรืองแสงอินทรีย์ (OLEDs) และเซนเซอร์ เนื่องจากมีคุณสมบัติอิเล็กทรอนิกส์ที่ปรับแต่งได้