ใช้เป็นสารตั้งต้นในการสังเคราะห์วัสดุซิลิกอนที่มีความบริสุทธิ์สูง โดยเฉพาะในกระบวนการผลิตชิปอิเล็กทรอนิกส์และเซมิคอนดักเตอร์ เนื่องจากสามารถทำปฏิกิริยากับพื้นผิวของซิลิกอนได้ดี ช่วยให้เกิดการเคลือบผิวที่มีความสม่ำเสมอและควบคุมความหนาของฟิล์มบางได้อย่างแม่นยำ นอกจากนี้ยังใช้ในงานวิจัยด้านนาโนเทคโนโลยีเพื่อสร้างโครงสร้างพื้นผิวในระดับนาโน โดยทำหน้าที่เป็นตัวทำให้เกิดการเติบโตของผลึกอย่างมีทิศทาง ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ต้องการความละเอียดสูง