ใช้เป็นวัสดุรับอิเล็กตรอนในโฟโตโวลตาอิกอินทรีย์ เนื่องจากมีลักษณะขาดอิเล็กตรอนอย่างแรงและการเชื่อมต่อ π ที่ยาวนาน ซึ่งช่วยให้การแยกประจุมีประสิทธิภาพในเซลล์แสงอาทิตย์ นอกจากนี้ ยังใช้ในทรานซิสเตอร์สนามอิเล็กตรอนอินทรีย์ (OFETs) เป็นเซมิคอนดักเตอร์แบบ n-type ซึ่งให้ความเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนที่ดีและความเสถียรในสภาวะแวดล้อม ระดับพลังงาน LUMO ที่ลึกทำให้เหมาะสำหรับใช้ในสีย้อมใกล้แสงอินฟราเรด (NIR) และโฟโต้ดีเทคเตอร์ นอกจากนี้ ยังเป็นสารตั้งต้นสำหรับสังเคราะห์อนุพันธ์ perylene diimide ที่ใช้ในเซ็นเซอร์เรืองแสงและการถ่ายภาพชีวภาพ โดยอาศัยความเสถียรทางความร้อนและเคมีสูง