Phoyunbene C ถูกใช้อย่างแพร่หลายในการพัฒนาวัสดุเซมิคอนดักเตอร์อินทรีย์ เนื่องจากโครงสร้าง π-คอนจูเกตที่ขยายออกมา สารนี้ทำหน้าที่เป็นส่วนประกอบหลักสำคัญในการสังเคราะห์วัสดุอิเล็กทรอนิกส์ประสิทธิภาพสูง โดยเฉพาะในทรานซิสเตอร์สนามอิเล็กทรอนิกส์อินทรีย์ (OFETs) และโฟโตโวลตาอิกอินทรีย์ (OPVs) โครงสร้างอะโรมาติกที่แข็งแรงช่วยเพิ่มความเคลื่อนที่ของพาหะประจุและความเสถียรทางความร้อน ทำให้เหมาะสมสำหรับอุปกรณ์ฟิล์มบาง นอกจากนี้ สารอนุพันธ์ของ Phoyunbene C ยังถูกสำรวจใช้ในไดโอดแสงสว่างอินทรีย์ (OLEDs) เนื่องจากคุณสมบัติการปล่อยแสงที่ปรับแต่งได้ ความเข้ากันได้ของสารกับเทคนิคการแปรรูปแบบละลายช่วยสนับสนุนการนำไปใช้ในอิเล็กทรอนิกส์ที่พิมพ์ได้ในพื้นที่กว้างและต้นทุนต่ำ