ใช้เป็นสารกึ่งตัวนำอินทรีย์แบบ n-type ในทรานซิสเตอร์สนามผลึกอินทรีย์ (OFETs) เนื่องจากมีคุณสมบัติรับอิเล็กตรอนที่แข็งแกร่ง นอกจากนี้ยังใช้ในเซลล์แสงอาทิตย์อินทรีย์ (OPVs) เป็นวัสดุรับอิเล็กตรอนเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพของอุปกรณ์ โครงสร้างแบบแบนราบและการเชื่อมต่อ π ที่ขยายออกช่วยให้มีการเคลื่อนที่ของพาหะประจุไฟฟ้าที่ดีและความเสถียรทางความร้อน ทำให้เหมาะสำหรับใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยืดหยุ่นและอุปกรณ์ฟิล์มบาง นอกจากนี้ยังทำหน้าที่เป็นสารตั้งต้นในการสังเคราะห์สารกึ่งตัวนำอินทรีย์ที่ซับซ้อนมากขึ้น และกำลังถูกศึกษาสำหรับใช้ในเซลล์แสงอาทิตย์เพอร์โรฟสไกต์เป็นชั้นเชื่อมต่อเพื่อปรับปรุงการสกัดอิเล็กตรอน