ใช้เป็นสารกึ่งตัวนำอินทรีย์ในการผลิตทรานซิสเตอร์สนามอิเล็กทรอนิกส์อินทรีย์ (OFETs) และเซลล์โฟโตโวลตาอิกอินทรีย์ (OPV) เนื่องจากมีโครงสร้าง π-conjugated ที่แข็งแกร่งและลักษณะที่ขาดอิเล็กตรอน แสดงให้เห็นถึงการเคลื่อนที่ของพาหะประจุที่ดีและความเสถียรทางความร้อน ทำให้เหมาะสำหรับใช้ในทรานซิสเตอร์ฟิล์มบางและเป็นวัสดุตัวรับในเซลล์แสงอาทิตย์แบบ donor-acceptor นอกจากนี้ ยังถูกนำมาใช้ในการพัฒนาอุปกรณ์แสงสว่างใกล้แสงอินฟราเรด (NIR) และเซ็นเซอร์ เนื่องจากการดูดซับที่ขยายไปถึงช่วง NIR กลุ่ม thiophene ที่มีโบรมีนช่วยให้สามารถทำการฟังก์ชันนาไลเซชันเพิ่มเติมผ่านปฏิกิริยาครอส-คัปพลิง ซึ่งช่วยให้สามารถปรับแต่งคุณสมบัติอิเล็กทรอนิกส์สำหรับความต้องการของอุปกรณ์เฉพาะได้